💥 Gate广场活动: #ART创作大赛# 💥
在 Gate广场发布与 ART、Launchpool、交易赛或余币宝活动 相关的原创内容,即有机会瓜分 1,600 ART 奖励!
📅 活动时间:2025年9月12日 12:00 – 9月17日 24:00 (UTC+8)
📌 相关详情:
Gate Launchpool:抵押 GT 领取 ART 空投
链接:https://www.gate.com/announcements/article/46996
ART 交易赛:分享总奖池 208,334 ART
链接:https://www.gate.com/announcements/article/47047
Gate 余币宝:ART 7天定期投资,年化收益高达 500% APR
链接:https://www.gate.com/announcements/article/47046
📌 参与方式:
发布原创内容,主题需与 ART 或相关活动(Launchpool / 交易赛 / 余币宝) 相关
内容不少于 80 字
帖子添加话题: #ART创作大赛#
附上任意活动参与截图
🏆 奖励设置:
🥇 一等奖(1名):500 ART
🥈 二等奖(2名):250 ART/人
🥉 三等奖(6名):100 ART/人
📄 注意事项:
内容必须原创,禁止抄袭或刷量
获奖者需完成 Gate
复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失
金十数据8月13日讯,复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而,如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。本工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。