¥359.93
+¥1.73(+0.48%)
*页面数据最近更新时间：2026-05-20 00:24 (UTC+8)
至 2026-05-20 00:24，Roundhill 内存 ETF (DRAM) 股票价格报 ¥359.93，总市值 ¥176.76亿，市盈率 0.00，股息率 0.00%。 当日股票价格在 ¥334.30 至 ¥367.49 之间波动，当前价格较日内低点高 7.66%，较日内高点低 2.05%，成交量 3,712.22万。 过去 52 周，DRAM 股票价格区间为 ¥334.30 至 ¥386.28，当前价格距 52 周高点 -6.82%。
DRAM 关键数据
昨日收盘价¥355.10
市值¥176.76亿
成交量3712.22万
市盈率0.00
股息收益率 (TTM)0.00%
净利润 (财年)¥0.00
营收 (财年)¥0.00
营收预测¥0.00
流通股数4977.96万
Beta 值 (1 年)0
DRAM 简介
DRAM旨在为投资者提供对全球半导体存储行业的有针对性敞口。投资组合构建旨在强调在半导体存储产品及相关技术中具有显著市场份额和收入份额的行业领先公司。存储产品包括高带宽存储器、动态随机存取存储器（DRAM）、NAND闪存和利用NAND技术的固态硬盘、NOR闪存、硬盘驱动器以及专用或嵌入式存储解决方案。此重点旨在提供被认为对推动人工智能应用至关重要的目标大盘股敞口。为了实现其主动投资策略，基金可能持有股票或衍生品，如掉期或远期合约。投资组合权重基于经过调整的市值方法，单一公司权重上限为25%，并反映顾问对每家公司在存储行业中的市场和收入份额的评估。再平衡至少每季度进行一次。
所属板块金融服务
所属行业资产管理
总部New York,NY,US
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) FAQ
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 今天的股价是多少？
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 当前报价 ¥359.93，24 小时变动 +0.48%。52 周交易区间为 ¥334.30–¥386.28。
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的 52 周最高价和最低价是多少？
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的市盈率 (P/E) 是多少？说明了什么？
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的市值是多少？
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 最近一季的每股收益 (EPS) 是多少？
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 现在该买入还是卖出？
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哪些因素会影响 Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的股价？
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如何购买 Roundhill 内存 ETF (DRAM) 股票？
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风险提示
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Roundhill 内存 ETF (DRAM) 今日新闻
2026-05-19 03:37Gate CFD合约股票专区已上线53个交易对，支持4倍固定杠杆Gate News 消息，据Gate官方公告
Gate CFD合约股票专区已上线53个CFD交易对，支持4倍固定杠杆。上线交易对包括SHLD（GLOBAL X国防科技ETF）、DRAM（Roundhill内存ETF）、GME（游戏驿站）、NBIX（神经分泌生物科学）、BAX（百特国际）、KMI（金德尔摩根）、CFG（公民金融集团）、Z（Zillow集团）、DVN（德文能源）、ADP（自动数据处理）等。
各交易对最小下单数量均为0.1。CFD合约为传统金融资产的差价合约衍生品，涵盖金属、外汇、指数、大宗商品和热门美股。2026-05-18 06:25Gate合约股票专区将于5月18日首发上线DRAM、HIMS、SHLD、IWM、FLNC永续合约，支持1-20倍杠杆交易Gate News 消息，据2026年5月18日Gate官方公告
Gate合约股票专区将于2026年5月18日14:30（UTC+8）首发上线DRAM（伦希尔存储芯片ETF）、HIMS（希姆斯健康）、SHLD（环球X国防科技ETF）、IWM（贝莱德罗素2000ETF）、FLNC（弗伦斯能源）永续合约实盘交易，支持USDT结算，提供1-20倍做多和做空操作。
DRAM为全球首只纯内存芯片主题ETF，重仓美光、SK海力士、三星电子等存储巨头，聚焦DRAM、NAND闪存、HBM高带宽内存。HIMS是美国线上远程医疗平台。SHLD被动跟踪全球国防军工指数，重仓美国军工企业。IWM跟踪罗素2000指数，覆盖美国2000家中小市值成长企业。FLNC为全球储能系统龙头，主营大型锂电池储能设备。2026-05-18 06:11英伟达有望在 2027 年超过苹果，成为最大的 LPDDR 使用方，容量将达到 60410亿 GB据 Hana Securities 和 Citrini Research 称，英伟达预计将在 2027 年成为低功耗 DRAM（LPDDR）最大的用户，原因是 AI 服务器需求激增。英伟达的 LPDDR 产能预计将从 2026 年的 60410亿 GB 增至 2027 年的 31440亿 GB，超过苹果和三星电子，并占全球总供给的 36%。分析师将这一转变归因于更新的 AI 系统，例如英伟达的 Vera Rubin，其耗用的内存显著高于传统设备。2026-05-16 15:21散户投资者在 5 月 11 日购买了 55 股新的 AI 记忆 ETF，并将其投资组合的 7% 分配给 DRAM5 月 11 日，44 岁的零售店经理 Brian Emes 在阿尔伯塔省莱斯布里奇购买了 55 股 Roundhill Memory ETF（DRAM）。该 ETF 仅在 4 月初刚刚推出。该持仓目前约占他投资组合的 7%，因此这是一笔押注人工智能以及内存芯片股票的集中型交易。
Emes 根据 Reddit 讨论帖和 YouTube 视频中的内容进行购买，这些内容强调了由 AI 驱动的对内存芯片的需求，并将其视为一个他不该错过的交易机会。2026-05-15 12:58AI 代理进化推动 DRAM 供应短缺至 30-50%，2027 年或将迎来下一波价格飙升：国泰君安海通据 Guru Club 称，5 月 15 日，国泰君安证券研究发现，由 AI 驱动的供应链通胀正在重塑半导体配置。传统 DRAM 供给短缺已达 30-50%，随着 AI 加速器争夺 HBM 资源，价格飙升。与此同时，亚马逊 AWS 和谷歌云打破了持续两十年的降价趋势以提高费用，表明成本压力正向下游传导至消费者。
从聊天到行动的 AI Agent 演进预计将引发下一轮通胀周期。2024-2025 年期间，代币消耗激增 300 倍；每项 Agent 任务所需的后端计算量比普通聊天多几十倍。这将推动 HBM 需求呈指数级增长，但供应扩张在晶圆消耗和良率约束方面面临瓶颈，显著的产能缓解预计要到 2027-2028 年才会出现。
